Hochschulschrift | Online-Publikation
Struktur und elektronische Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten mit Hochtemperatur-AlN-Zwischenschichten
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Hannover, Univ., Diss., 2003
- Classification
-
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
- Keyword
-
Galliumnitrid
Molekularstrahlepitaxie
Aluminiumnitrid
Zwischenschicht
HEMT
- Creator
- URN
-
urn:nbn:de:gbv:089-36809782X9
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
- 15.08.2025, 7:39 AM CEST
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Object type
- Hochschulschrift
- Online-Publikation
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