Monografie

Ab initio theory of point defects and defect complexes in SiC

Sprache
Englisch
Anmerkungen
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005
Identifier
97586291X

Thema
Siliciumcarbid ; Frenkel-Defekt ; Störstelle ; Dichtefunktionalformalismus ; Störstelle ; Frenkel-Defekt ; Halbleiter / Gitterbaufehler ; Diffusion ; Wide-gap-Halbleiter ; Photolumineszenz ; Siliciumcarbid ; Dichtefunktionalfor; Hochschulschrift; Online-Publikation

Beteiligte Personen und Organisationen

URN
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
26.01.2023, 13:52 MEZ

Objekttyp

  • Monografie

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