Hochschulschrift
Methoden zur Simulation hochenergetischer Elektronen in Ultrakurzkanaltransistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783826505355
3826505352
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VI, 114 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1995
- Schlagwort
-
Siliciumbauelement
MOS-FET
Heißes Elektron
Boltzmann-Gleichung
Monte-Carlo-Simulation
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:35 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Jungemann, Christoph
- Shaker
Entstanden
- 1995
Ähnliche Objekte (12)
Quantitative Elementanalytik an Diamantschichten mittels elastischer Vorwärtsstreuung (ERD) hochenergetischer schwerer Ionen
Bestimmung der Polarisation hochenergetischer gestreuter Elektronen
Methoden und Modelle der kontinuierlichen Simulation
Simulation von Implantationsprofilen mit Methoden der Transporttheorie
Simulation von Streamerkammerbildern hochenergetischer Schwerionenstösse
Digitale Simulation nichtlinearer Systeme mit Methoden der Netzwerktheorie
Simulation zweidimensionaler laminarer Flammen mit der Lattice-Boltzmann-Methoden
Numerische Simulation industrieller Rostfeuerungen nach der Euler-Euler Methode
Die charakteristischen Funktionen der räumlichen Dosisverteilung hochenergetischer Elektronen
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren
Metallische Hochtemperatur-Einzel-Elektronen-Transistoren
Zur Effizienz gitterfreier Methoden für die Simulation zweiphasiger, poröser Medien
Quantitative Elementanalytik an Diamantschichten mittels elastischer Vorwärtsstreuung (ERD) hochenergetischer schwerer Ionen
Bestimmung der Polarisation hochenergetischer gestreuter Elektronen
Methoden und Modelle der kontinuierlichen Simulation
Simulation von Implantationsprofilen mit Methoden der Transporttheorie
Simulation von Streamerkammerbildern hochenergetischer Schwerionenstösse
Digitale Simulation nichtlinearer Systeme mit Methoden der Netzwerktheorie
Simulation zweidimensionaler laminarer Flammen mit der Lattice-Boltzmann-Methoden
Numerische Simulation industrieller Rostfeuerungen nach der Euler-Euler Methode
Die charakteristischen Funktionen der räumlichen Dosisverteilung hochenergetischer Elektronen
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren
Metallische Hochtemperatur-Einzel-Elektronen-Transistoren
Zur Effizienz gitterfreier Methoden für die Simulation zweiphasiger, poröser Medien
Quantitative Elementanalytik an Diamantschichten mittels elastischer Vorwärtsstreuung (ERD) hochenergetischer schwerer Ionen
Bestimmung der Polarisation hochenergetischer gestreuter Elektronen
Methoden und Modelle der kontinuierlichen Simulation
Simulation von Implantationsprofilen mit Methoden der Transporttheorie
Simulation von Streamerkammerbildern hochenergetischer Schwerionenstösse
Digitale Simulation nichtlinearer Systeme mit Methoden der Netzwerktheorie
Simulation zweidimensionaler laminarer Flammen mit der Lattice-Boltzmann-Methoden
Numerische Simulation industrieller Rostfeuerungen nach der Euler-Euler Methode
Die charakteristischen Funktionen der räumlichen Dosisverteilung hochenergetischer Elektronen
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren
Metallische Hochtemperatur-Einzel-Elektronen-Transistoren