Hochschulschrift

Charakterisierung von dielektrischen Schichten für EEPROM-Zellen

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Dimensions
21 cm
Extent
92 S.
Language
Deutsch
Notes
Ill., graph. Darst.
München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 1998

Keyword
EEPROM
Floating-Gate-Struktur
Gate-Oxid
Degradation
Nitride
Langzeitverhalten

Creator
Mattheus, Alexander R.

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Last update
11.03.2025, 11:40 AM CET

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Object type

  • Hochschulschrift

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