Fundamental aspects of silicon oxidation

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783540416821
354041682X
Dimensions
24 cm
Extent
XIII, 260 S.
Language
Englisch
Notes
Ill., graph. Darst.
Literaturangaben

Bibliographic citation
Springer series in materials science ; 46

Keyword
Silicium
Kristallfläche
Oxidation
Silicium
Kristallfläche
Siliciumdioxid
Dünne Schicht
Schichtwachstum

Event
Veröffentlichung
(where)
Berlin, Heidelberg, New York, Barcelona, Hong Kong, London, Milan, Paris, Singapore, Tokyo
(who)
Springer
(when)
2001
Contributor
Chabal, Yves J.

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Last update
11.03.2025, 12:28 PM CET

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Time of origin

  • 2001

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