Hochschulschrift

cw-laserinduzierte Rekristallisation ionenimplantierter amorphisierter (100)Silizium-Oberflächenschichten [Silizium-Oberflächenschichten]

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
59, [11] Bl.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
57 Ill. u. graph. Darst.
Jena, Univ., Diss. A, 1984 (Nicht f.d. Austausch)

Schlagwort
Halbleiterbauelemente
Ionenimplantation
Halbleiterbauelement
Ionenimplantation

Urheber
Hedler, Harry

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:56 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Hedler, Harry

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