Hochschulschrift

Strain and crystalline defects in epitaxial GaN layers studied by high-resolution X-ray diffraction

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Bremen, Univ., Diss., 2007

Urheber

URN
urn:nbn:de:gbv:46-diss000114499
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:54 MEZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Ähnliche Objekte (12)