Engineering of Highly Coherent Silicon Vacancy Defects in Silicon Carbide

Weitere Titel
Erzeugung hochkohärenter Silizium Fehlstellen in Siliziumkarbid
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Würzburg, Universität Würzburg, Dissertation, 2021

Schlagwort
Silicon
Silicon carbide
Engineering
Störstelle
Siliciumcarbid
Kohärenz

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Würzburg
(wer)
Universität Würzburg
(wann)
2021
Urheber
Kasper, Christian Andreas
Beteiligte Personen und Organisationen
Dyakonov, Vladimir
Trauzettel, Björn
Behr, Volker

DOI
10.25972/OPUS-23779
URN
urn:nbn:de:bvb:20-opus-237797
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:51 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Kasper, Christian Andreas
  • Dyakonov, Vladimir
  • Trauzettel, Björn
  • Behr, Volker
  • Universität Würzburg

Entstanden

  • 2021

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