Norm
TGL 34164, Halbleiterbauelemente - Silizium-pnp-UHF-Transistoren - KT 326 A, B - Technische Bedingungen
- Weitere Titel
-
TGL 34164
Technische Normen, Gütevorschriften und Lieferbedingungen 34164
DDR-Standard
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
1 Online-Ressource (9 Seiten)
- Sprache
-
Deutsch
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Frankfurt am Main, Leipzig
- (wer)
-
Deutsche Nationalbibliothek
- (wann)
-
2018
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2022081408251838915799
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:33 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Norm
Beteiligte
- Deutsche Nationalbibliothek
Entstanden
- 2018
Ähnliche Objekte (12)
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-UHF-Transistor"
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-NF-Transistor"
Abbruchbericht: "Verfahren zur Herstellung von Si (Silizium)-pnp-Transistoren"
TGL 35202, Halbleiterbauelemente - Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 368 A, B - Technische Bedingungen
Frequenz- und Impulsverhalten eines modernen Silicium- [Silizium] UHF-Transistors unter besonderer Berücksichtigung der transformatorischen Einflüsse der Parasitärelemente
Das Temperaturverhalten von barrierengesteuerten Silizium-pnp-Dioden
Monolithische Integration von UHF-MOS-FET-Strukturen und bipolaren UHF-Transistoren
Transistor-Breitbandverstärker im UHF-Bereich mit Leitungskopplung
Silizium Permeable Base Transistoren
Fernsteuerempfänger mit Silizium-Transistoren
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren
TGL 37025, Halbleiterbauelemte - Silizium-pnp-NF-Transistoren - KT 3107 A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L - Technische Bedingungen
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-UHF-Transistor"
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-NF-Transistor"
Abbruchbericht: "Verfahren zur Herstellung von Si (Silizium)-pnp-Transistoren"
TGL 35202, Halbleiterbauelemente - Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 368 A, B - Technische Bedingungen
Frequenz- und Impulsverhalten eines modernen Silicium- [Silizium] UHF-Transistors unter besonderer Berücksichtigung der transformatorischen Einflüsse der Parasitärelemente
Das Temperaturverhalten von barrierengesteuerten Silizium-pnp-Dioden
Monolithische Integration von UHF-MOS-FET-Strukturen und bipolaren UHF-Transistoren
Transistor-Breitbandverstärker im UHF-Bereich mit Leitungskopplung
Silizium Permeable Base Transistoren
Fernsteuerempfänger mit Silizium-Transistoren
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren
TGL 37025, Halbleiterbauelemte - Silizium-pnp-NF-Transistoren - KT 3107 A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L - Technische Bedingungen
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-UHF-Transistor"
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-NF-Transistor"
Abbruchbericht: "Verfahren zur Herstellung von Si (Silizium)-pnp-Transistoren"
TGL 35202, Halbleiterbauelemente - Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 368 A, B - Technische Bedingungen
Frequenz- und Impulsverhalten eines modernen Silicium- [Silizium] UHF-Transistors unter besonderer Berücksichtigung der transformatorischen Einflüsse der Parasitärelemente
Das Temperaturverhalten von barrierengesteuerten Silizium-pnp-Dioden
Monolithische Integration von UHF-MOS-FET-Strukturen und bipolaren UHF-Transistoren
Transistor-Breitbandverstärker im UHF-Bereich mit Leitungskopplung
Silizium Permeable Base Transistoren
Fernsteuerempfänger mit Silizium-Transistoren
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren