Atomic Layer Deposited Hf0.5Zr0.5O2-based Flexible Memristor with Short/Long-Term Synaptic Plasticity

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1556-276X
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Atomic Layer Deposited Hf0.5Zr0.5O2-based Flexible Memristor with Short/Long-Term Synaptic Plasticity ; volume:14 ; number:1 ; day:15 ; month:3 ; year:2019 ; pages:1-6 ; date:12.2019
Nanoscale research letters ; 14, Heft 1 (15.3.2019), 1-6, 12.2019

Urheber
Wang, Tian-Yu
Meng, Jia-Lin
He, Zhen-Yu
Chen, Lin
Zhu, Hao
Sun, Qing-Qing
Ding, Shi-Jin
Zhang, David Wei
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1186/s11671-019-2933-y
URN
urn:nbn:de:101:1-2019040720573173956763
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:55 MESZ

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Beteiligte

  • Wang, Tian-Yu
  • Meng, Jia-Lin
  • He, Zhen-Yu
  • Chen, Lin
  • Zhu, Hao
  • Sun, Qing-Qing
  • Ding, Shi-Jin
  • Zhang, David Wei
  • SpringerLink (Online service)

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