Atomic Layer Deposited Hf0.5Zr0.5O2-based Flexible Memristor with Short/Long-Term Synaptic Plasticity
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
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1556-276X
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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online resource.
- Erschienen in
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Atomic Layer Deposited Hf0.5Zr0.5O2-based Flexible Memristor with Short/Long-Term Synaptic Plasticity ; volume:14 ; number:1 ; day:15 ; month:3 ; year:2019 ; pages:1-6 ; date:12.2019
Nanoscale research letters ; 14, Heft 1 (15.3.2019), 1-6, 12.2019
- Urheber
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Wang, Tian-Yu
Meng, Jia-Lin
He, Zhen-Yu
Chen, Lin
Zhu, Hao
Sun, Qing-Qing
Ding, Shi-Jin
Zhang, David Wei
- Beteiligte Personen und Organisationen
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SpringerLink (Online service)
- DOI
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10.1186/s11671-019-2933-y
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2019040720573173956763
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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14.08.2025, 10:55 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Wang, Tian-Yu
- Meng, Jia-Lin
- He, Zhen-Yu
- Chen, Lin
- Zhu, Hao
- Sun, Qing-Qing
- Ding, Shi-Jin
- Zhang, David Wei
- SpringerLink (Online service)