Minimum Resistance Anisotropy of Epitaxial Graphene on SiC

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Momeni Pakdehi, D. et al.: Minimum Resistance Anisotropy of Epitaxial Graphene on SiC. In: ACS Applied Materials & Interfaces 10 (2018), S. 6039-6045. DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.7b18641

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Hannover, Hannover
(wer)
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Technische Informationsbibliothek (TIB)
(wann)
2018
Urheber
Momeni Pakdehi, D.
Pierz, K.
Baringhaus, J.
Hohls, F.
Ahlers, F.J.

DOI
10.15488/4120
URN
urn:nbn:de:101:1-2020062307113894104435
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:41 MEZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Momeni Pakdehi, D.
  • Pierz, K.
  • Baringhaus, J.
  • Hohls, F.
  • Ahlers, F.J.
  • Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Technische Informationsbibliothek (TIB)

Entstanden

  • 2018

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