Hochschulschrift
Numerische Simulation von Si-SiGe-Hochfrequenztransistoren unter besonderer Berücksichtigung des elektronischen Rauschens
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783826599187
3826599187
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
X, 156 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Zugl.: Bremen, Univ., Diss., 2001
- Keyword
-
Hochfrequenztransistor
Heterobipolartransistor
Silicium
Germanium
Elektronisches Rauschen
Kleinsignalverhalten
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.03.2025, 12:28 PM CET
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Decker, Stefan
- Shaker
Time of origin
- 2002
Other Objects (12)
Ballistische Gleichrichtung in nanoskaligen elektronischen Si/SiGe Wellenleiter-Kreuzstrukturen
Ballistische Gleichrichtung im nichtlinearen elektronischen Transport durch Si/SiGe-Wellenleiterkreuze
Praxis des elektronischen Rauschens
Si/SiGe-basierende Phototransistoren
Si ge xiao shen tan : = Si ge xiao shen tan
Fourierspektroskopie an pseudomorphen Si/SiGe-Heterostrukturen
Niedertemperaturtechnologien zur Herstellung von skalierfähigen Si/SiGe/Si-Heterobipolartransistoren
Cluster-Bethegitter-Berechnungen der elektronischen Zustandsdichte an der Si-SiO2-Interface [Si-SiO-Interface]
Niedertemperaturepitaxie zur Herstellung von SiGe/Si-HBTs
Niedertemperaturepitaxie zur Herstellung von SiGe/Si-HBTs
Ballistischer Transport in nanoskaligen Si- SiGe-Heterofeldeffektstrukturen
Untersuchung der Elektrolumineszenz von SiGe,Si Heterostrukturen
Ballistische Gleichrichtung in nanoskaligen elektronischen Si/SiGe Wellenleiter-Kreuzstrukturen
Ballistische Gleichrichtung im nichtlinearen elektronischen Transport durch Si/SiGe-Wellenleiterkreuze
Praxis des elektronischen Rauschens
Si/SiGe-basierende Phototransistoren
Si ge xiao shen tan : = Si ge xiao shen tan
Fourierspektroskopie an pseudomorphen Si/SiGe-Heterostrukturen
Niedertemperaturtechnologien zur Herstellung von skalierfähigen Si/SiGe/Si-Heterobipolartransistoren
Cluster-Bethegitter-Berechnungen der elektronischen Zustandsdichte an der Si-SiO2-Interface [Si-SiO-Interface]
Niedertemperaturepitaxie zur Herstellung von SiGe/Si-HBTs
Niedertemperaturepitaxie zur Herstellung von SiGe/Si-HBTs
Ballistischer Transport in nanoskaligen Si- SiGe-Heterofeldeffektstrukturen
Untersuchung der Elektrolumineszenz von SiGe,Si Heterostrukturen
Ballistische Gleichrichtung in nanoskaligen elektronischen Si/SiGe Wellenleiter-Kreuzstrukturen
Ballistische Gleichrichtung im nichtlinearen elektronischen Transport durch Si/SiGe-Wellenleiterkreuze
Praxis des elektronischen Rauschens
Si/SiGe-basierende Phototransistoren
Si ge xiao shen tan : = Si ge xiao shen tan
Fourierspektroskopie an pseudomorphen Si/SiGe-Heterostrukturen
Niedertemperaturtechnologien zur Herstellung von skalierfähigen Si/SiGe/Si-Heterobipolartransistoren
Cluster-Bethegitter-Berechnungen der elektronischen Zustandsdichte an der Si-SiO2-Interface [Si-SiO-Interface]
Niedertemperaturepitaxie zur Herstellung von SiGe/Si-HBTs
Niedertemperaturepitaxie zur Herstellung von SiGe/Si-HBTs
Ballistischer Transport in nanoskaligen Si- SiGe-Heterofeldeffektstrukturen