Sub-Linear Current Voltage Characteristics of Schottky-Barrier Field-Effect Transistors

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: 10.1109/TED.2022.3161245

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Aachen
(wer)
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
(wann)
2022
Urheber
Knoch, Joachim
Sun, Bin

DOI
10.18154/RWTH-2022-04127
URN
urn:nbn:de:101:1-2022042907381903961747
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:43 MEZ

Datenpartner

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Beteiligte

Entstanden

  • 2022

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