Hochschulschrift

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur Kristallisation von Siliziumnitridschichten

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
102 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Dortmund, Univ., Diss., 1988

Schlagwort
Kristallisation
Halbleitertechnik
Siliziumnitrid
Kristallisation
Halbleitertechnologie
Silicium

Urheber
Bussmann, Udo

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.03.2025, 11:48 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Bussmann, Udo

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