New techniques and improvements in the MBE growth of Hg-containing narrow gap semiconductors
- Weitere Titel
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Neue Techniken und Verbesserung des MBE Wachstums Hg-haltiger Halbleiter mit schmaler Bandlücke
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Würzburg, Universität Würzburg, Dissertation, 2020
- Schlagwort
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Narrow gap semiconductors
Halbleiter
Molekularstrahlepitaxie
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Würzburg
- (wer)
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Universität Würzburg
- (wann)
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2020
- Urheber
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Schlereth, Raimund
- Beteiligte Personen und Organisationen
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Buhmann, Hartmut
- URN
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urn:nbn:de:bvb:20-opus-200790
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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25.03.2025, 13:53 MEZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Schlereth, Raimund
- Buhmann, Hartmut
- Universität Würzburg
Entstanden
- 2020