Ultra‐Steep‐Slope High‐Gain MoS 2 Transistors with Atomic Threshold‐Switching Gate
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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Ultra‐Steep‐Slope High‐Gain MoS 2 Transistors with Atomic Threshold‐Switching Gate ; day:17 ; month:01 ; year:2022 ; extent:6
Advanced science ; (17.01.2022) (gesamt 6)
- Urheber
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Lin, Jun
Chen, Xiaozhang
Duan, Xinpei
Yu, Zhiming
Niu, Wencheng
Zhang, Mingliang
Liu, Chang
Li, Guoli
Liu, Yuan
Liu, Xingqiang
Zhou, Peng
Liao, Lei
- DOI
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10.1002/advs.202104439
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2022011814070072605290
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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15.08.2025, 07:35 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Lin, Jun
- Chen, Xiaozhang
- Duan, Xinpei
- Yu, Zhiming
- Niu, Wencheng
- Zhang, Mingliang
- Liu, Chang
- Li, Guoli
- Liu, Yuan
- Liu, Xingqiang
- Zhou, Peng
- Liao, Lei