- Weitere Titel
-
Simulation und Modellierung von Siliziumkarbid-Bauelementen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Diss., 2015
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Wide-gap-Halbleiter, Siliciumcarbid, Simulation, n-Kanal-FET, Hall-Beweglichkeit, Haftstelle
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Erlangen
- (wer)
-
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
- (wann)
-
2015
- Urheber
-
Uhnevionak, Viktoryia
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Pichler, Peter
Weigel, Robert
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus4-61975
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:44 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Uhnevionak, Viktoryia
- Pichler, Peter
- Weigel, Robert
- Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
Entstanden
- 2015
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