Hochschulschrift
Mechanismen des selektiven Wachstums von Ga-In-As-P-Heterostrukturen für photonische Anwendungen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
208 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
zahlr. Ill. und graph. Darst.
Ulm, Univ., Diss., 1997
- Schlagwort
-
Galliumarsenid
Indiumarsenid
Galliumphosphid
Indiumphosphid
Heterostruktur
MOMBE
- Urheber
-
Wachter, Martin
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:53 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Wachter, Martin
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