Effect of Ultra‐Thin AlGaN Regrown Layer on the Electrical Properties of ZrO 2/AlGaN/GaN Structures
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Englisch
- Bibliographic citation
-
Effect of Ultra‐Thin AlGaN Regrown Layer on the Electrical Properties of ZrO 2/AlGaN/GaN Structures ; day:01 ; month:04 ; year:2024 ; extent:6
Physica status solidi / A. A, Applications and materials science ; (01.04.2024) (gesamt 6)
- Creator
-
Nezu, Toi
Maeda, Shogo
Baratov, Ali
Terai, Suguru
Sekiyama, Kishi
Nagase, Itsuki
Kuzuhara, Masaaki
Yamamoto, Akio
Asubar, Joel T.
- DOI
-
10.1002/pssa.202400073
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2024040214571377026651
- Rights
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
14.08.2025, 11:01 AM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Associated
- Nezu, Toi
- Maeda, Shogo
- Baratov, Ali
- Terai, Suguru
- Sekiyama, Kishi
- Nagase, Itsuki
- Kuzuhara, Masaaki
- Yamamoto, Akio
- Asubar, Joel T.
Other Objects (12)
Untersuchung von miniaturisierten GaAs-AlGaAs-Feldeffekttransistoren und GaAs-InGaAs-AlGaAs-Flash-Speichern
Zuverlässigkeit von AlGaN/GaN-Leistungsbauelementen
Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Lochsystemen in GaAs-AlGaAs-Quantenwells und an GaAs-AlGaAs-GaMnAs-Schichtstrukturen
On the p-AlGaN/n-AlGaN/p-AlGaN Current Spreading Layer for AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs/AlGaAs
AlGaN/GaN HEMETs für HF-Leistungsanwendungen
Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs / AlGaAs
Biofunctionalization of GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Herstellung und Untersuchung von GaAlAs/GaAs-Wide-Gap-Emitter Bipolartransistoren [GaAlAs-GaAs-Wide-Gap-Emitter-Bipolartransistoren]
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Molekularstrahlepitaxie von AlGaAs-GaAs-InGaAs/GaAs-Vielfachschichten für Laserdioden mit Vertikalresonator
Electrical and magnetic characterization of implanted GaN/AlGaN based heterostructures for spintronics applications
Untersuchung von miniaturisierten GaAs-AlGaAs-Feldeffekttransistoren und GaAs-InGaAs-AlGaAs-Flash-Speichern
Zuverlässigkeit von AlGaN/GaN-Leistungsbauelementen
Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Lochsystemen in GaAs-AlGaAs-Quantenwells und an GaAs-AlGaAs-GaMnAs-Schichtstrukturen
On the p-AlGaN/n-AlGaN/p-AlGaN Current Spreading Layer for AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs/AlGaAs
AlGaN/GaN HEMETs für HF-Leistungsanwendungen
Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs / AlGaAs
Biofunctionalization of GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Herstellung und Untersuchung von GaAlAs/GaAs-Wide-Gap-Emitter Bipolartransistoren [GaAlAs-GaAs-Wide-Gap-Emitter-Bipolartransistoren]
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Molekularstrahlepitaxie von AlGaAs-GaAs-InGaAs/GaAs-Vielfachschichten für Laserdioden mit Vertikalresonator
Electrical and magnetic characterization of implanted GaN/AlGaN based heterostructures for spintronics applications
Untersuchung von miniaturisierten GaAs-AlGaAs-Feldeffekttransistoren und GaAs-InGaAs-AlGaAs-Flash-Speichern
Zuverlässigkeit von AlGaN/GaN-Leistungsbauelementen
Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Lochsystemen in GaAs-AlGaAs-Quantenwells und an GaAs-AlGaAs-GaMnAs-Schichtstrukturen
On the p-AlGaN/n-AlGaN/p-AlGaN Current Spreading Layer for AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs/AlGaAs
AlGaN/GaN HEMETs für HF-Leistungsanwendungen
Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs / AlGaAs
Biofunctionalization of GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Herstellung und Untersuchung von GaAlAs/GaAs-Wide-Gap-Emitter Bipolartransistoren [GaAlAs-GaAs-Wide-Gap-Emitter-Bipolartransistoren]
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Molekularstrahlepitaxie von AlGaAs-GaAs-InGaAs/GaAs-Vielfachschichten für Laserdioden mit Vertikalresonator