Hochschulschrift | Online-Publikation

Impurity-induced resonant Raman scattering in GaAs below the band gap at low temperature

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Language
Deutsch
Notes
Göttingen, Univ., Diss., 2000

Keyword
Galliumarsenid
Energielücke
Verunreinigung
Resonanz-Raman-Effekt

Creator

URN
urn:nbn:de:gbv:7-webdoc-892-3
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
15.08.2025, 7:28 AM CEST

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Object type

  • Hochschulschrift
  • Online-Publikation

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