Hochschulschrift | Online-Publikation
Impurity-induced resonant Raman scattering in GaAs below the band gap at low temperature
- Location
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Language
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Deutsch
- Notes
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Göttingen, Univ., Diss., 2000
- Keyword
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Galliumarsenid
Energielücke
Verunreinigung
Resonanz-Raman-Effekt
- Creator
- URN
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urn:nbn:de:gbv:7-webdoc-892-3
- Rights
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
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15.08.2025, 7:28 AM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
- Online-Publikation