Hochschulschrift

In-operando hard X-ray photoelectron spectroscopy study on the resistive switching physics of HfO2-based RRAM

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Dimensions
30 cm
Extent
XIV, 162 S.
Language
Englisch
Notes
Ill., graph. Darst.
Cottbus-Senftenberg, Techn. Univ., Diss. 2014 (Nicht für den Austausch)

Keyword
Röntgenspektroskopie
Defekt
FRAM

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Last update
11.06.2025, 1:45 PM CEST

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