Hochschulschrift
Technologie von GaAs-Schottkygate-Feldeffekttransistoren für monolithische Mikrowellenschaltungen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
8°
- Umfang
-
IV, 117 S. m. Abb.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Aachen, Techn. Hochsch., Fak. f. Elektrotechnik, Diss. 1971.
- Urheber
-
Naumann, Jörg
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:26 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Naumann, Jörg
Ähnliche Objekte (12)
Quasi-monolithische Si-Ga-As-Mischtechnologie für Mikrowellen- und Millimeterwellenschaltungen
Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung
Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung
Estrich - Technologie - monolithische Betonböden
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Galliumarsenid, Technologie für monolithische Integration
Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si
Technologie und Eigenschaften von GaAs-Halbleiterdetektoren
Neuartige monolithische InAlGaAsN-Vertikallaserdioden : langwellige Emission bei 1.3μm [1.3 my m], Monitordiodenintegration, Modellierung
Neue Technologie für monolithische GHz-Schaltungen
Technologie und optische Spektroskopie zu lateral quantisierten InGaAs-GaAs-Drähten und -Punkten
Quasi-monolithische Si-Ga-As-Mischtechnologie für Mikrowellen- und Millimeterwellenschaltungen
Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung
Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung
Estrich - Technologie - monolithische Betonböden
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Galliumarsenid, Technologie für monolithische Integration
Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si
Technologie und Eigenschaften von GaAs-Halbleiterdetektoren
Neuartige monolithische InAlGaAsN-Vertikallaserdioden : langwellige Emission bei 1.3μm [1.3 my m], Monitordiodenintegration, Modellierung
Neue Technologie für monolithische GHz-Schaltungen
Technologie und optische Spektroskopie zu lateral quantisierten InGaAs-GaAs-Drähten und -Punkten
Quasi-monolithische Si-Ga-As-Mischtechnologie für Mikrowellen- und Millimeterwellenschaltungen
Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung
Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung
Estrich - Technologie - monolithische Betonböden
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Galliumarsenid, Technologie für monolithische Integration
Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si
Technologie und Eigenschaften von GaAs-Halbleiterdetektoren
Neuartige monolithische InAlGaAsN-Vertikallaserdioden : langwellige Emission bei 1.3μm [1.3 my m], Monitordiodenintegration, Modellierung
Neue Technologie für monolithische GHz-Schaltungen