Hochschulschrift
Crystalline hafnia and zirconia based dielectrics for memory applications
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783869553467
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VII, 165 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Hamburg, Techn. Univ., Diss., 2010
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
CMOS
Gate-Oxid
Hafniumdioxid
Nichtflüchtiger Speicher
Speicherzelle
Dielektrikum
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Göttingen
- (wer)
-
Cuvillier
- (wann)
-
2010
- Urheber
-
Böscke, Tim S.
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:43 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Böscke, Tim S.
- Cuvillier
Entstanden
- 2010
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