Hochschulschrift
Beitrag zur Untersuchung des nichtlinearen frequenzabhängigen Verhaltens bipolarer Transistorstufen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
131, [5] Bl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Dresden, Techn. Univ., Diss. A, 1985 (Nicht f.d. Austausch)
- Schlagwort
-
Transistor
Halbleitertechnik
Transistor
Halbleitertechnologie
- Urheber
-
Krauss, Gudrun
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:39 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Krauss, Gudrun
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