Hochschulschrift

Beitrag zur Untersuchung des nichtlinearen frequenzabhängigen Verhaltens bipolarer Transistorstufen

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
131, [5] Bl.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Dresden, Techn. Univ., Diss. A, 1985 (Nicht f.d. Austausch)

Schlagwort
Transistor
Halbleitertechnik
Transistor
Halbleitertechnologie

Urheber
Krauss, Gudrun

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:39 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Krauss, Gudrun

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