Boosting the Thermoelectric Performance of Pseudo‐Layered Sb 2 Te 3 (GeTe) n via Vacancy Engineering
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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Boosting the Thermoelectric Performance of Pseudo‐Layered Sb 2 Te 3 (GeTe) n via Vacancy Engineering ; volume:5 ; number:12 ; year:2018 ; extent:7
Advanced science ; 5, Heft 12 (2018) (gesamt 7)
- Urheber
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Xu, Xiao
Xie, Lin
Lou, Qing
Wu, Di
He, Jiaqing
- DOI
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10.1002/advs.201801514
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2022090606265972201860
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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15.08.2025, 07:27 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Xu, Xiao
- Xie, Lin
- Lou, Qing
- Wu, Di
- He, Jiaqing