Influence of the epitaxial composition on N-face GaN KOH etch kinetics determined by ICP-OES
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
Influence of the epitaxial composition on N-face GaN KOH etch kinetics determined by ICP-OES ; volume:11 ; pages:41-50
Beilstein journal of nanotechnology ; 11, 41-50
- Klassifikation
-
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
- DOI
-
10.3762/bjnano.11.4
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2020112714443462225459
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:22 MESZ
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