Hochschulschrift
The source, drain engineering of nanoscale germanium-based MOS devices
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783662496817
366249681X
- Maße
-
24 cm
- Umfang
-
xiv, 59 Seiten
- Ausgabe
-
[1st ed.]
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Illustrationen
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
MOS-FET
Germanium
Nanometerbereich
Source
Drain
Kontaktwiderstand
Parasitäres Element
Schottky-Kontakt
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Berlin, Heidelberg
- (wer)
-
Springer
- (wann)
-
[2016]
- Urheber
-
Li, Zhiqiang
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:16 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Li, Zhiqiang
- Springer-Verlag GmbH
- Springer
Entstanden
- [2016]
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