Hochschulschrift
Untersuchungen zu Grenzflächenprozessen des Silizium Waferbondens und des Smart-Cut-Prozesses mittels Infrarot-Spektroskopie
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
92 Bl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Halle, Univ., Diss., 2001
- Schlagwort
-
Silicium
Wafer
Bonden
Grenzfläche
Infrarotspektroskopie
Silicium
Wafer
Smart-cut-Verfahren
Grenzfläche
Infrarotspektroskopie
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:49 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
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