Author Correction: Multilayer redox-based HfOx/Al2O3/TiO2 memristive structures for neuromorphic computing
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
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2045-2322
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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online resource.
- Erschienen in
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Author Correction: Multilayer redox-based HfOx/Al2O3/TiO2 memristive structures for neuromorphic computing ; volume:12 ; number:1 ; day:5 ; month:12 ; year:2022 ; pages:1 ; date:12.2022
Scientific reports ; 12, Heft 1 (5.12.2022), 1, 12.2022
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
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SpringerLink (Online service)
- DOI
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10.1038/s41598-022-25502-w
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2023021521285213246510
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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14.08.2025, 10:56 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Park, Seongae
- Spetzler, Benjamin
- Ivanov, Tzvetan
- Ziegler, Martin
- SpringerLink (Online service)