A Study on h‐BN Resistive Switching Temporal Response

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
A Study on h‐BN Resistive Switching Temporal Response ; day:21 ; month:06 ; year:2024 ; extent:8
Advanced electronic materials ; (21.06.2024) (gesamt 8)

Urheber
Musisi‐Nkambwe, Mirembe
Afshari, Sahra
Xie, Jing
Warner, Hailey
Sanchez Esqueda, Ivan

DOI
10.1002/aelm.202400022
URN
urn:nbn:de:101:1-2406221448035.299195973463
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:48 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Musisi‐Nkambwe, Mirembe
  • Afshari, Sahra
  • Xie, Jing
  • Warner, Hailey
  • Sanchez Esqueda, Ivan

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