Hochschulschrift

Phasenkohärenter Transport und Spin-Bahn-Wechselwirkung in III/V-Halbleiternanodrähten

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Deutsch
Notes
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2009

Keyword
Nanodraht ; Spin-Bahn-Wechselwirkung ; Magnetoelektronik ; Kohärenz ; MOS-FET ; IG-FET ; Indiumnitrid ; Indiumarsenid ; Galliumarsenid ; Galliumarsenid-Bauelement ; Galliumarsenid-Feldeffekttransistor ; Schwache Lokalisation

Creator

URN
urn:nbn:de:hbz:82-opus-29912
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
25.03.2025, 1:46 PM CET

Data provider

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Object type

  • Hochschulschrift

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