Hochschulschrift
Phasenkohärenter Transport und Spin-Bahn-Wechselwirkung in III/V-Halbleiternanodrähten
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2009
- Schlagwort
-
Nanodraht ; Spin-Bahn-Wechselwirkung ; Magnetoelektronik ; Kohärenz ; MOS-FET ; IG-FET ; Indiumnitrid ; Indiumarsenid ; Galliumarsenid ; Galliumarsenid-Bauelement ; Galliumarsenid-Feldeffekttransistor ; Schwache Lokalisation
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:82-opus-29912
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:50 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
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