Raman scattering excitation in monolayers of semiconducting transition metal dichalcogenides

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
1 Online-Ressource.
Sprache
Englisch

Erschienen in
Raman scattering excitation in monolayers of semiconducting transition metal dichalcogenides ; volume:8 ; number:1 ; day:10 ; month:1 ; year:2024 ; pages:1-7 ; date:12.2024
npj 2D materials and applications ; 8, Heft 1 (10.1.2024), 1-7, 12.2024

Urheber
Zinkiewicz, M.
Grzeszczyk, M.
Kazimierczuk, T.
Bartos, M.
Nogajewski, K.
Pacuski, W.
Watanabe, Kenji
Taniguchi, T.
Wysmolek, Andrzej
Kossacki, P.
Potemski, M.
Babiński, A.
Molas, M. R.
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1038/s41699-023-00438-5
URN
urn:nbn:de:101:1-2024032510495205437473
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:57 MESZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Beteiligte

  • Zinkiewicz, M.
  • Grzeszczyk, M.
  • Kazimierczuk, T.
  • Bartos, M.
  • Nogajewski, K.
  • Pacuski, W.
  • Watanabe, Kenji
  • Taniguchi, T.
  • Wysmolek, Andrzej
  • Kossacki, P.
  • Potemski, M.
  • Babiński, A.
  • Molas, M. R.
  • SpringerLink (Online service)

Ähnliche Objekte (12)