RF performances of inductors integrated on localized p+-type porous silicon regions
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
1556-276X
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
RF performances of inductors integrated on localized p+-type porous silicon regions ; volume:7 ; number:1 ; day:25 ; month:9 ; year:2012 ; pages:1-8 ; date:12.2012
Nanoscale research letters ; 7, Heft 1 (25.9.2012), 1-8, 12.2012
- Urheber
-
Capelle, Marie
Billoué, Jérôme
Poveda, Patrick
Gautier, Gaël
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1186/1556-276X-7-523
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2019101602233471325551
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:28 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Capelle, Marie
- Billoué, Jérôme
- Poveda, Patrick
- Gautier, Gaël
- SpringerLink (Online service)