RF performances of inductors integrated on localized p+-type porous silicon regions

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1556-276X
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
RF performances of inductors integrated on localized p+-type porous silicon regions ; volume:7 ; number:1 ; day:25 ; month:9 ; year:2012 ; pages:1-8 ; date:12.2012
Nanoscale research letters ; 7, Heft 1 (25.9.2012), 1-8, 12.2012

Urheber
Capelle, Marie
Billoué, Jérôme
Poveda, Patrick
Gautier, Gaël
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1186/1556-276X-7-523
URN
urn:nbn:de:101:1-2019101602233471325551
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:28 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Capelle, Marie
  • Billoué, Jérôme
  • Poveda, Patrick
  • Gautier, Gaël
  • SpringerLink (Online service)

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