Hochschulschrift

Metallorganische Gasphasenepitaxie für optoelektronische und elektronische Bauelemente im Materialsystem AlGalnN

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783826593970
3826593979
Maße
21 cm
Umfang
160 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 2001

Schlagwort
Aluminiumnitrid
Galliumnitrid
Indiumnitrid
MOCVD-Verfahren
Heterostruktur-Bauelement
Lumineszenzdiode
Aluminiumnitrid
Galliumnitrid
Indiumnitrid
MOCVD-Verfahren
Heterostruktur-Bauelement
Feldeffekttransistor

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Aachen
(wer)
Shaker
(wann)
2001
Urheber

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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:25 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2001

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