Hochschulschrift
Metallorganische Gasphasenepitaxie für optoelektronische und elektronische Bauelemente im Materialsystem AlGalnN
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
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9783826593970
3826593979
- Maße
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21 cm
- Umfang
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160 S.
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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Ill., graph. Darst.
Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 2001
- Schlagwort
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Aluminiumnitrid
Galliumnitrid
Indiumnitrid
MOCVD-Verfahren
Heterostruktur-Bauelement
Lumineszenzdiode
Aluminiumnitrid
Galliumnitrid
Indiumnitrid
MOCVD-Verfahren
Heterostruktur-Bauelement
Feldeffekttransistor
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:25 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Kirchner, Christoph
- Shaker
Entstanden
- 2001