Hochschulschrift
Zum Stromverstärkungsverhalten doppeltdiffundierter Silizium-Transistor-Anordnungen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
4 [Maschinenschr. vervielf.]
- Umfang
-
105 gez. Bl. mit eingekl. Abb.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Rostock, Math.-naturwiss. F., Diss. v. 10. März 1966 (Nicht f. d. Aust.)
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Rostock
- (wann)
-
1966
- Urheber
-
Mittenentzwei, Hans Werner
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:15 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Mittenentzwei, Hans Werner
Entstanden
- 1966
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