Hochschulschrift

Zum Stromverstärkungsverhalten doppeltdiffundierter Silizium-Transistor-Anordnungen

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
4 [Maschinenschr. vervielf.]
Umfang
105 gez. Bl. mit eingekl. Abb.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Rostock, Math.-naturwiss. F., Diss. v. 10. März 1966 (Nicht f. d. Aust.)

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Rostock
(wann)
1966
Urheber
Mittenentzwei, Hans Werner

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:15 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Mittenentzwei, Hans Werner

Entstanden

  • 1966

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