Hochschulschrift
Zum Stromverstärkungsverhalten doppeltdiffundierter Silizium-Transistor-Anordnungen
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
4 [Maschinenschr. vervielf.]
- Extent
-
105 gez. Bl. mit eingekl. Abb.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Rostock, Math.-naturwiss. F., Diss. v. 10. März 1966 (Nicht f. d. Aust.)
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Rostock
- (when)
-
1966
- Creator
-
Mittenentzwei, Hans Werner
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:15 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Mittenentzwei, Hans Werner
Time of origin
- 1966
Other Objects (12)
Silizium Permeable Base Transistoren
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren
Fernsteuerempfänger mit Silizium-Transistoren
Silizium Permeable Base Transistoren mit vergrabenem CoSi2-Gate
Silizium Permeable Base Transistoren mit vergrabenem CoSi2-Gate
Silizium Nanoribbon Feld-Effekt Transistoren zur Kopplung an elektroaktive Zellen
Silizium-Nanoribbon-Feld-Effekt-Transistoren zur Kopplung an elektroaktive Zellen
Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten
Silizium-Germanium-Hetero-Bipolar-Transistoren für die Hochfrequenz : Technologie + Simulation
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-UHF-Transistor"
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-NF-Transistor"
Graphen-Transistoren: Silizium CMOS kompatible Herstellung für Anwendungen in der Nanoelektronik
Silizium Permeable Base Transistoren
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren
Fernsteuerempfänger mit Silizium-Transistoren
Silizium Permeable Base Transistoren mit vergrabenem CoSi2-Gate
Silizium Permeable Base Transistoren mit vergrabenem CoSi2-Gate
Silizium Nanoribbon Feld-Effekt Transistoren zur Kopplung an elektroaktive Zellen
Silizium-Nanoribbon-Feld-Effekt-Transistoren zur Kopplung an elektroaktive Zellen
Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten
Silizium-Germanium-Hetero-Bipolar-Transistoren für die Hochfrequenz : Technologie + Simulation
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-UHF-Transistor"
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-NF-Transistor"
Graphen-Transistoren: Silizium CMOS kompatible Herstellung für Anwendungen in der Nanoelektronik
Silizium Permeable Base Transistoren
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren
Fernsteuerempfänger mit Silizium-Transistoren
Silizium Permeable Base Transistoren mit vergrabenem CoSi2-Gate
Silizium Permeable Base Transistoren mit vergrabenem CoSi2-Gate
Silizium Nanoribbon Feld-Effekt Transistoren zur Kopplung an elektroaktive Zellen
Silizium-Nanoribbon-Feld-Effekt-Transistoren zur Kopplung an elektroaktive Zellen
Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten
Silizium-Germanium-Hetero-Bipolar-Transistoren für die Hochfrequenz : Technologie + Simulation
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-UHF-Transistor"
Abbruchbericht: "Si (Silizium)-pnp-NF-Transistor"