Nanosecond Magneto‐Ionic Control of Magnetism Using a Resistive Switching HfO 2 Gate Oxide

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
Nanosecond Magneto‐Ionic Control of Magnetism Using a Resistive Switching HfO 2 Gate Oxide ; day:30 ; month:09 ; year:2024 ; extent:7
Advanced electronic materials ; (30.09.2024) (gesamt 7)

Urheber
Jeong, Jimin
Park, Yeon Su
Kang, Min‐Gu
Park, Byong‐Guk

DOI
10.1002/aelm.202400535
URN
urn:nbn:de:101:1-2410011407268.433807082085
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:22 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Jeong, Jimin
  • Park, Yeon Su
  • Kang, Min‐Gu
  • Park, Byong‐Guk

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