Nanosecond Magneto‐Ionic Control of Magnetism Using a Resistive Switching HfO 2 Gate Oxide
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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Nanosecond Magneto‐Ionic Control of Magnetism Using a Resistive Switching HfO 2 Gate Oxide ; day:30 ; month:09 ; year:2024 ; extent:7
Advanced electronic materials ; (30.09.2024) (gesamt 7)
- Urheber
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Jeong, Jimin
Park, Yeon Su
Kang, Min‐Gu
Park, Byong‐Guk
- DOI
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10.1002/aelm.202400535
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2410011407268.433807082085
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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15.08.2025, 07:22 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Jeong, Jimin
- Park, Yeon Su
- Kang, Min‐Gu
- Park, Byong‐Guk