Electrical Properties of Midwave and Longwave InAs/GaSb Superlattices Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy

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Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1556-276X
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch
Notes
online resource.

Bibliographic citation
Electrical Properties of Midwave and Longwave InAs/GaSb Superlattices Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy ; volume:13 ; number:1 ; day:5 ; month:7 ; year:2018 ; pages:1-7 ; date:12.2018
Nanoscale research letters ; 13, Heft 1 (5.7.2018), 1-7, 12.2018

Classification
Physik

Creator
Benyahia, D.
Contributor
Kubiszyn, Ł
Michalczewski, K.
Boguski, J.
Kębłowski, A.
Martyniuk, P.
Piotrowski, J.
Rogalski, A.
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1186/s11671-018-2612-4
URN
urn:nbn:de:101:1-2018091622505909089468
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
15.08.2025, 7:27 AM CEST

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