GeSe ovonic threshold switch: the impact of functional layer thickness and device size

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
1 Online-Ressource.
Sprache
Englisch

Erschienen in
GeSe ovonic threshold switch: the impact of functional layer thickness and device size ; volume:14 ; number:1 ; day:20 ; month:3 ; year:2024 ; pages:1-9 ; date:12.2024
Scientific reports ; 14, Heft 1 (20.3.2024), 1-9, 12.2024

Urheber
Zhao, Jiayi
Zhao, Zihao
Song, Zhitang
Zhu, Min
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1038/s41598-024-57029-7
URN
urn:nbn:de:101:1-2405212111088.025780116191
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 11:00 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Zhao, Jiayi
  • Zhao, Zihao
  • Song, Zhitang
  • Zhu, Min
  • SpringerLink (Online service)

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