Hochschulschrift
Untersuchungen zum Rauschverhalten von Mikrowellen-Oszillatoren mit Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
IX, 130 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Bochum, Univ., Diss., 1987
- Schlagwort
-
Oszillator
Transistor
Rauschen
Feldeffekttransistor
Oszillator
Transistor
Rauschen
Feldeffekttransistor
- Urheber
-
Siweris, Heinz-Jürgen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:09 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Siweris, Heinz-Jürgen
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