Hochschulschrift
Untersuchungen zum Rauschverhalten von Mikrowellen-Oszillatoren mit Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
IX, 130 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Bochum, Univ., Diss., 1987
- Keyword
-
Oszillator
Transistor
Rauschen
Feldeffekttransistor
Oszillator
Transistor
Rauschen
Feldeffekttransistor
- Creator
-
Siweris, Heinz-Jürgen
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.03.2025, 12:22 PM CET
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Siweris, Heinz-Jürgen
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