The Stacking Faulted Nature of the Narrow Gap Semiconductor Sc 2 Si 2 Te 6

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
The Stacking Faulted Nature of the Narrow Gap Semiconductor Sc 2 Si 2 Te 6 ; volume:648 ; number:21 ; year:2022 ; extent:12
Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie ; 648, Heft 21 (2022) (gesamt 12)

Urheber
Pielnhofer, Florian
Bette, Sebastian
Eger, Roland
Duppel, Viola
Nuss, Jürgen
Dolle, Christian
Dinnebier, Robert E.
Lotsch, Bettina V.

DOI
10.1002/zaac.202200234
URN
urn:nbn:de:101:1-2022112214165142636802
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:36 MESZ

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