Aluminum Oxide at the Monolayer Limit via Oxidant‐Free Plasma‐Assisted Atomic Layer Deposition on GaN
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
Aluminum Oxide at the Monolayer Limit via Oxidant‐Free Plasma‐Assisted Atomic Layer Deposition on GaN ; day:12 ; month:06 ; year:2021 ; extent:10
Advanced functional materials ; (12.06.2021) (gesamt 10)
- Urheber
-
Henning, Alex
Bartl, Johannes D.
Zeidler, Andreas
Qian, Simon
Bienek, Oliver
Jiang, Chang‐Ming
Paulus, Claudia
Rieger, Bernhard
Stutzmann, Martin
Sharp, Ian D.
- DOI
-
10.1002/adfm.202101441
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2021061315003080708900
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:52 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Henning, Alex
- Bartl, Johannes D.
- Zeidler, Andreas
- Qian, Simon
- Bienek, Oliver
- Jiang, Chang‐Ming
- Paulus, Claudia
- Rieger, Bernhard
- Stutzmann, Martin
- Sharp, Ian D.
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