Monografie
Selbstorganisiertes Wachstum von C60-Fullerenen auf rekonstruierten Silizium-Oberflächen
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2003
- Identifier
-
969599544
Subject
Silicium ; Oberfläche ; Buckminsterfulleren ; Schichtwachstum ; Silicium; Festkörperoberfläche; Buckminsterfulleren; Kristallwachstum; Hochschulschrift; Online-Publikation
Contributor
- URN
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
26.01.2023, 1:54 PM CET
Object type
- Monografie
Associated
Other Objects (12)
Strukturbildung von porösem Silizium
Wachstumsverhalten von dünnen Manganschichten auf Si(100)- und Bismut terminierten Si(100)-Oberflächen
Initiale Nukleation bei der Deposition von Eisen auf Silizium und InAs(001)
The metal-semiconductor interface : Fe-Si(001) and Fe-InP(001)
Analytik von Kontaminationen auf Siliciumoberflächen : Möglichkeiten und Grenzen des VPD-Verfahrens
Modifizierung von Silizium-Oberflächen zur Immobilisierung von Biomolekülen
Ein Multi-Phasen-Feld-Modell für facettiertes Kristallwachstum
NMR-Experimente zur elektronischen Struktur der Si(111)-(7x7)-Oberfläche
Zeitaufgelöste STM-Untersuchungen zur Silizid- und Metall-Epitaxie der Systeme Fe-, Cu-, Pt-Si(111) und Cu-W(110)
Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie
Excimer-Laser-unterstützte Prozesse für die Siliziumtechnologie
Influence of material, surface reconstruction and strain on submonolayer growth at Si(111) and Ge(111) surfaces
Strukturbildung von porösem Silizium
Wachstumsverhalten von dünnen Manganschichten auf Si(100)- und Bismut terminierten Si(100)-Oberflächen
Initiale Nukleation bei der Deposition von Eisen auf Silizium und InAs(001)
The metal-semiconductor interface : Fe-Si(001) and Fe-InP(001)
Analytik von Kontaminationen auf Siliciumoberflächen : Möglichkeiten und Grenzen des VPD-Verfahrens
Modifizierung von Silizium-Oberflächen zur Immobilisierung von Biomolekülen
Ein Multi-Phasen-Feld-Modell für facettiertes Kristallwachstum
NMR-Experimente zur elektronischen Struktur der Si(111)-(7x7)-Oberfläche
Zeitaufgelöste STM-Untersuchungen zur Silizid- und Metall-Epitaxie der Systeme Fe-, Cu-, Pt-Si(111) und Cu-W(110)
Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie
Excimer-Laser-unterstützte Prozesse für die Siliziumtechnologie
Influence of material, surface reconstruction and strain on submonolayer growth at Si(111) and Ge(111) surfaces
Strukturbildung von porösem Silizium
Wachstumsverhalten von dünnen Manganschichten auf Si(100)- und Bismut terminierten Si(100)-Oberflächen
Initiale Nukleation bei der Deposition von Eisen auf Silizium und InAs(001)
The metal-semiconductor interface : Fe-Si(001) and Fe-InP(001)
Analytik von Kontaminationen auf Siliciumoberflächen : Möglichkeiten und Grenzen des VPD-Verfahrens
Modifizierung von Silizium-Oberflächen zur Immobilisierung von Biomolekülen
Ein Multi-Phasen-Feld-Modell für facettiertes Kristallwachstum
NMR-Experimente zur elektronischen Struktur der Si(111)-(7x7)-Oberfläche
Zeitaufgelöste STM-Untersuchungen zur Silizid- und Metall-Epitaxie der Systeme Fe-, Cu-, Pt-Si(111) und Cu-W(110)
Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie
Excimer-Laser-unterstützte Prozesse für die Siliziumtechnologie