Origin of Ferroelectric Phase in Undoped HfO₂ Films Deposited by Sputtering - CORRECTION

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Advanced Electronic Materials, Erscheinungsjahr: 2019, Jahrgang: 6, Heft: 20, Seiten: 1901528-1901528, E-ISSN: 2199-160X

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Dresden
(wer)
Technische Universität Dresden
(wann)
2022
Urheber
Mittmann, Terence
Materano, Monica
Lomenzo, Patrick D.
Park, Min Hyuk
Stolichnov, Igor
Cavalieri, Matteo
Zhou, Chuanzhen
Chung, Ching-Chang
Jones, Jacob L.
Szyjka, Thomas
Müller, Martina
Kersch, Alfred
Mikolajick, Thomas
Schroeder, Uwe

URN
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-805249
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:50 MEZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Mittmann, Terence
  • Materano, Monica
  • Lomenzo, Patrick D.
  • Park, Min Hyuk
  • Stolichnov, Igor
  • Cavalieri, Matteo
  • Zhou, Chuanzhen
  • Chung, Ching-Chang
  • Jones, Jacob L.
  • Szyjka, Thomas
  • Müller, Martina
  • Kersch, Alfred
  • Mikolajick, Thomas
  • Schroeder, Uwe
  • Technische Universität Dresden

Entstanden

  • 2022

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