Synthesis and resistive switching mechanisms of mott insulators based on undoped and Cr-doped vanadium oxide thin films : as function of nanostructure and material properties

Weitere Titel
Synthese und resistive Schaltmechanismen von Mott-Isolatoren basierend auf undotieren und Cr-dotierten Vanadiumoxid Dünnschichten als Funktion der Nanostruktur und der Materialeigenschaften
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, Dissertation, 2020

Schlagwort
Thin films
Vanadium oxide

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Aachen
(wer)
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
(wann)
2020
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen

DOI
10.18154/RWTH-2020-04960
URN
urn:nbn:de:101:1-2020092106103435285017
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:50 MEZ

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Beteiligte

Entstanden

  • 2020

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