Hochschulschrift

Relaxationsphänomene in keramischen Dünnschichten für zukünftige hochintegrierte Halbleiterspeicher

zu Verbundenen Objekten

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783183535057
318353505X
Maße
21 cm
Umfang
IX, 151 S.
Ausgabe
Als Ms. gedr.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss.

Erschienen in
Fortschrittberichte VDI / 5 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 535, Reihe 5

Schlagwort
Halbleiterspeicher
Titanatkeramik
MOCVD-Verfahren
Dünne Schicht
Dielektrische Relaxation
Ferroelektrizität
Halbleiterspeicher
PLZT-Keramik
Dünne Schicht
Dielektrische Relaxation
Ferroelektrizität
Halbleiterspeicher
Tantalate
Oxidkeramik
Dünne Schicht
Dielektrische Relaxation
Ferroelektrizität

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Düsseldorf
(wer)
VDI-Verl.
(wann)
1998
Urheber

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2005, 13:12 MESZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 1998

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