High-temperature operation of electrical injection type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well lasers emitting at 1.3 µm

zu Verbundenen Objekten

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
2045-2322
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
High-temperature operation of electrical injection type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well lasers emitting at 1.3 µm ; volume:8 ; number:1 ; day:23 ; month:1 ; year:2018 ; pages:1-6 ; date:12.2018
Scientific reports ; 8, Heft 1 (23.1.2018), 1-6, 12.2018

Klassifikation
Naturwissenschaften

Urheber
Fuchs, C.
Beteiligte Personen und Organisationen
Brüggemann, A.
Weseloh, M. J.
Berger, C.
Möller, C.
Reinhard, S.
Hader, J.
Moloney, J. V.
Bäumner, A.
Koch, S. W.
Stolz, W.
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1038/s41598-018-19189-1
URN
urn:nbn:de:1111-201804131737
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:49 MESZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Original beim Datenpartner anzeigen

Beteiligte

  • Fuchs, C.
  • Brüggemann, A.
  • Weseloh, M. J.
  • Berger, C.
  • Möller, C.
  • Reinhard, S.
  • Hader, J.
  • Moloney, J. V.
  • Bäumner, A.
  • Koch, S. W.
  • Stolz, W.
  • SpringerLink (Online service)

Ähnliche Objekte (12)

Author Correction: High-temperature operation of electrical injection type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well lasers emitting at 1.3 µm

Author Correction: High-temperature operation of electrical injection type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well lasers emitting at 1.3 µm

Untersuchung von miniaturisierten GaAs-AlGaAs-Feldeffekttransistoren und GaAs-InGaAs-AlGaAs-Flash-Speichern

Hochschulschrift

Untersuchung von miniaturisierten GaAs-AlGaAs-Feldeffekttransistoren und GaAs-InGaAs-AlGaAs-Flash-Speichern

Erratum to: Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 µm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor

Erratum to: Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 µm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor

Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden

Hochschulschrift

Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden

Molekularstrahlepitaxie von AlGaAs-GaAs-InGaAs/GaAs-Vielfachschichten für Laserdioden mit Vertikalresonator

Hochschulschrift

Molekularstrahlepitaxie von AlGaAs-GaAs-InGaAs/GaAs-Vielfachschichten für Laserdioden mit Vertikalresonator

Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Lochsystemen in GaAs-AlGaAs-Quantenwells und an GaAs-AlGaAs-GaMnAs-Schichtstrukturen

Hochschulschrift

Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Lochsystemen in GaAs-AlGaAs-Quantenwells und an GaAs-AlGaAs-GaMnAs-Schichtstrukturen

Interdiffusion von GaAs/AlGaAs- und pseudomorphen InGaAs/GaAs-Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen

Hochschulschrift

Interdiffusion von GaAs/AlGaAs- und pseudomorphen InGaAs/GaAs-Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen

Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs

Hochschulschrift

Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs

Oberfächenemittierende Laserdioden mit Vertikalresonator im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs

Hochschulschrift

Oberfächenemittierende Laserdioden mit Vertikalresonator im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs

Hochleistungs-Laserverstärker auf der Basis von InGaAs-AlGaAs-GaAs

Hochschulschrift

Hochleistungs-Laserverstärker auf der Basis von InGaAs-AlGaAs-GaAs

Spindynamik in GaAs und (110)-GaAs-Heterostrukturen

Hochschulschrift

Spindynamik in GaAs und (110)-GaAs-Heterostrukturen

Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs/AlGaAs

Hochschulschrift

Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs/AlGaAs

Verbundene Objekte