Long-wavelength room-temperature luminescence from InAs/GaAs quantum dots with an optimized GaAsSbN capping layer

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1556-276X
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Long-wavelength room-temperature luminescence from InAs/GaAs quantum dots with an optimized GaAsSbN capping layer ; volume:9 ; number:1 ; day:17 ; month:1 ; year:2014 ; pages:1-7 ; date:12.2014
Nanoscale research letters ; 9, Heft 1 (17.1.2014), 1-7, 12.2014

Urheber
Utrilla, Antonio D.
Ulloa, Jose M.
Guzman, Alvaro
Hierro, Adrian
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1186/1556-276X-9-36
URN
urn:nbn:de:101:1-2021081121345816779856
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:45 MESZ

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Beteiligte

  • Utrilla, Antonio D.
  • Ulloa, Jose M.
  • Guzman, Alvaro
  • Hierro, Adrian
  • SpringerLink (Online service)

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