Hochschulschrift
Theoretische Untersuchung von InAIAs/InGaAs-HFET mit eindimensionalen, quasi-zweidimensionalen und zweidimensionalen Modellen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VIII, 209 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Duisburg, Univ., Diss., 1999
- Schlagwort
-
Indiumarsenid
Aluminiumarsenid
Galliumarsenid
Feldeffekttransistor
Heterostruktur-Bauelement
Simulation
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:15 MESZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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