Interstitial Defect Modulation Promotes Thermoelectric Properties of p ‐Type HfNiSn
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
Interstitial Defect Modulation Promotes Thermoelectric Properties of p ‐Type HfNiSn ; day:14 ; month:07 ; year:2024 ; extent:10
Advanced energy materials ; (14.07.2024) (gesamt 10)
- Urheber
-
Ai, Xin
Xue, Wenhua
Giebeler, Lars
Pérez, Nicolás
Lei, Binghua
Zhang, Yue
Zhang, Qihao
Nielsch, Kornelius
Wang, Yumei
He, Ran
- DOI
-
10.1002/aenm.202401345
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2407151423210.692663008294
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:52 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
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Beteiligte
- Ai, Xin
- Xue, Wenhua
- Giebeler, Lars
- Pérez, Nicolás
- Lei, Binghua
- Zhang, Yue
- Zhang, Qihao
- Nielsch, Kornelius
- Wang, Yumei
- He, Ran
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